Falcon III XO前端開放式直接探測X射線相機

Falcon III XO前端開放式直接探測X射線相機是全球一款基于 EMCCD的直接探測X-ray相機，相比以往產品具有更高速度和靈敏度的優勢。相機分辨率1024 x1024，像元尺寸10um，滿分辨率最高幀頻可達34fps，X-ray探測范圍1.2eV-20KeV。該相機非常適合對靈敏度、幀速有更高要求的軟X-ray探測的應用。

Falcon III XO前端開放式直接探測X射線相機

主要特性：

• 直接探測、前端開放

• 來自e2v的EMCCD芯片，不帶鍍膜

• CF152（6“）法蘭設計直接與真空室連接

• 幀頻34fps@1024x1024

• 深度制冷到-70℃，暗電流<0.001e-/p/s

• 探測能量1.2eV-20KeV

典型應用：

X-ray顯微成像、斷層影像、相襯成像和源特性、X-ray等離子診斷、晶體學、極紫外/真空紫外成像、全息成像和半導體光刻、高次諧波產生

>>X-ray衍射（XRD）

X-ray衍射是一種研究物質特性的技術，如大分子、晶體、粉末、 聚合物和纖維。 當X-ray穿過物質時，它們與原子中的電子相互作用，并分散開 來。如果原子是在平面上組織的（即物質是結晶的），并且原子之間 的距離與X-ray的波長大小相同，則會發生構造性和破壞性的干涉， 并形成衍射圖案。根據所研究物質的種類，可以使用單色X-ray、粉 紅束（窄帶）X-ray或白束（寬帶）X-ray。

>>極紫外（EUV）光刻

半導體工業使用波長從 365nm 到 248nm 到 193/157nm 的光 源，其特征尺寸小于100nm，但已達到光刻技術的極限。認識到這 一限制，該行業在過去幾年中一直在尋找一種潛在的后繼技術，以生 產小于100nm的特性。半導體工業研究的下一代光刻技術包括超視 距光刻、X-ray光刻、離子束投影光刻和電子束投影光刻。盡管EUV 光刻技術也有其挑戰，但它經常被使用，因為它保留了上述光刻技術 （波長13.5nm）的外觀和感覺，以及使用了相同的基本設計工具。 因此，直接探測X-ray相機為光刻系統工作中提供了好的診斷 和監控手段。

>>軟X-ray顯微鏡

軟X-ray顯微鏡用于研究生物、材料科學和其它樣品的元素組成 和結構。這些顯微鏡的波長范圍在4.0埃（-3.0keV）到44埃（-300 eV）之間，能夠實現數百埃的空間分辨率，比可見光顯微鏡的最大 分辨率高出約10倍。 軟X-ray顯微鏡具有設計簡單，能夠在近自然環境中形成厚的含 水生物樣品的高空間分辨率圖像，而無需電子顯微鏡所需的耗時制 備的特點。由于生物樣品主要由氫、碳、氧和氮組成，它們的主要 吸收邊緣（除氫以外）位于碳（284eV，4.4nm）和氧（543eV， 2.3nm）吸收邊緣之間的水窗中，軟X-ray顯微鏡提供出色的光譜信 息，并提供高對比度圖像。

水中軟X-ray和生物樣品中主要元素的吸收長度

• 型號
  
  

•